Ranplasman Vòltaj Segondè Ranplasman

Alternative equivalent for HB31G0FZRE TE Connectivity Passive Product high voltage thick film RES 1 GOHM 1% 2W RADIAL

Altènatif ekivalan pou HB31G0FZRE TE Koneksyon pasif pwodwi segondè vòltaj fim epè RES 1 GOHM 1% 2W RADIAL

Deskripsyon: HVC Konpayi ofri Altènatif ekivalan pou Ohmite segondè vòltaj fim epè RES 1 GOHM 1% 2W RADIAL ranplasman pou TE Connectivity pasif pwodwi EBG Ohmite HV rezistans.
Voye rechèch kounye a

Atribi pwodwi yo

TAPE	DESKRIPSYON
PartNumber	HB31G0FZRE
kategori	résistances
Fanmi	Atravè Rezistans Twou
Manifakti orijinal la	TE Connectivity pasif pwodwi
Deskripsyon	RES 1 GOHM 1% 2W RADIAL
Rezistans	1 GOhms
Tolerans	Â ± 1%
Pouvwa (Watts)	2W
konpozisyon	Fim epè
karakteristik	Segondè vòltaj, batman kè reziste
Tanperati Koyefisyan	Â ± 100ppm / Â ° C
opere Tanperati	-55Â ° C ~ 125Â ° C
Pake / Ka	Radyal
Pake Aparèy Founisè	Plon radial
Size / dimansyon	2.047 "L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm)
Wotè - chita (Max)	0.409 "(10.40mm)
Kantite revokasyon	2
Echèk To	-

Rezistans segondè vòltaj fim epè se yon kalite modèn ki pa endiktif rezisteur konsepsyon, HVC ofri modèl altènatif pou Ohmite, Vishay, HV rezistans fim epè EBG a, tcheke isit la pou detay: https://www.hv-caps.com/products/High-Voltage-resistor-Flat-Style.html

Prev:207CHJ100M TE Connectivité pasif pwodwi segondè vòltaj epè Next:1032003FE Ohmite segondè vòltaj fim epè RES 200K OHM 1% 1/2W