Ranplasman Vòltaj Segondè Ranplasman

Alternative equivalent for HJ652M4CZ TE Connectivity Passive Product high voltage thick film RES 2.4M OHM 0.25% 1W AXIAL

Altènatif ekivalan pou HJ652M4CZ TE Koneksyon pasif pwodwi segondè vòltaj fim epè RES 2.4M OHM 0.25% 1W AXIAL

Deskripsyon: HVC konpayi ofri ekivalan altènatif pou Ohmite segondè vòltaj fim epè RES 2.4M OHM 0.25% 1W AXIAL ranplasman pou TE Connectivity pasif pwodwi EBG Ohmite HV rezistans.
Voye rechèch kounye a

Atribi pwodwi yo

TAPE	DESKRIPSYON
PartNumber	HJ652M4CZ
kategori	résistances
Fanmi	Atravè Rezistans Twou
Manifakti orijinal la	TE Connectivity pasif pwodwi
Deskripsyon	RES 2.4M OHM 0.25% 1W AKSYAL
Rezistans	2.4 MOhms
Tolerans	Â ± 0.25%
Pouvwa (Watts)	1W
konpozisyon	Fim epè
karakteristik	Segondè vòltaj, imidite rezistan
Tanperati Koyefisyan	Â ± 100ppm / Â ° C
opere Tanperati	-55Â ° C ~ 150Â ° C
Pake / Ka	Axial
Pake Aparèy Founisè	Axial
Size / dimansyon	0.177 "Dia x 0.571" L (4.50mm x 14.50mm)
Wotè - chita (Max)	-
Kantite revokasyon	2
Echèk To	-

Rezistans segondè vòltaj fim epè se yon kalite modèn ki pa endiktif rezisteur konsepsyon, HVC ofri modèl altènatif pou Ohmite, Vishay, HV rezistans fim epè EBG a, tcheke isit la pou detay: https://www.hv-caps.com/products/High-Voltage-resistor-Flat-Style.html

Prev:25958-9 TE Connectivity pasif pwodwi segondè vòltaj epè fi Next:00KFZAE TE Connectivité pasif pwodwi segondè vòltaj pwès fi